高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備專用性強(qiáng)，涉及測(cè)試平臺(tái)精密度高，全球半導(dǎo)體工業(yè)的區(qū)域集聚性造就了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)的高度聚集。另外金屬靶材是高純?yōu)R射靶材重要的生產(chǎn)來(lái)源，金屬靶材的制備中包括材料純化和靶材制備兩個(gè)過(guò)程，提純化過(guò)程中確保降低靶材中雜志含量，制備過(guò)程確保靶材表面平整程度。
高純?yōu)R射靶材與金屬靶材料提純化過(guò)程中主要方法包括化學(xué)提純化和物理提純法。化學(xué)提純法分為濕法提純和火法提純，濕法提純包括離子交換、溶劑萃取、置換沉淀和電解精煉等；火法提純包括氯化精餾、碘化熱分解、金屬有機(jī)物熱分解、歧化分解、熔析精煉和熔鹽電解等。目前應(yīng)用最多的是電解精煉提純，其原理是在電解過(guò)程中，利用雜質(zhì)金屬和主金屬在陰極上析出電位差異從而達(dá)到提純目的。常見的如高純Cu、Co、Ni、Ag和Ti。
高純?yōu)R射靶材的物理提純法利用主體金屬與雜質(zhì)物理性質(zhì)差異，采用蒸發(fā)、凝固、結(jié)晶、擴(kuò)散、電遷移等物理過(guò)程去除雜質(zhì)，具體方法包括區(qū)域熔融法、偏析提純法、真空蒸餾法、單晶法和電遷移法，一般此類提純?cè)谡婵諚l件下進(jìn)行，一些吸氣性很強(qiáng)的金屬需要在高正空和超高真空條件下完成提純，其原理是在此條件下降低氣體分子在金屬中溶解度從而實(shí)現(xiàn)提純，對(duì)于低熔點(diǎn)的Al、Cu、Au和Ag等金屬及其合金等采用真空感應(yīng)熔煉制備；對(duì)于高熔點(diǎn)的Ti、Co、Ta和Ni等金屬采用真空電子束爐或電弧熔煉制備。
目前高純?yōu)R射靶材技術(shù)不斷進(jìn)行改進(jìn)和生產(chǎn)，在過(guò)去幾十年中濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，西方國(guó)家投入較早。目前，全球半導(dǎo)體濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司。以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額。
新時(shí)代，新技術(shù)層出不窮，我們關(guān)注，學(xué)習(xí)，希望在未來(lái)能夠與時(shí)俱進(jìn)，開拓創(chuàng)新。