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世界各國氮化鋁靶材發(fā)展情況分析;

材料研發(fā)每個國家都投入的非常的資金和人才,世界上主要氮化鋁材料研發(fā)國家目前發(fā)展的水平都有所不同,美國和日本的研發(fā)水平是目前氮化鋁取得最高成就。氮化鋁材料在光電領域扮演非常重要的角色,那么目前各個國家氮化鋁材料發(fā)展水平如何呢?

我們都知道AlN材料是Ⅲ族氮化物,具有0.7~3.4eV的直接帶隙,可以廣泛應用于光電子領域。與砷化鎵等材料相比,覆蓋的光譜帶寬更大,尤其適合從深紫外到藍光方面的應用,同時Ⅲ族氮化物具有化學穩(wěn)定性好、熱傳導性能優(yōu)良、擊穿電壓高、介電常數(shù)低等優(yōu)點,使得Ⅲ族氮化物器件相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件,可以在更高頻率、更高功率、更高溫度和惡劣環(huán)境下工作,是最具發(fā)展前景的一類半導體材料。


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AlN材料具有寬禁帶(6.2eV),高熱導率(3.3W/cm·K),且與AlGaN層晶格匹配、熱膨脹系數(shù)匹配都更好,所以AlN是制作先進高功率發(fā)光器件(LED,LD)、紫外探測器以及高功率高頻電子器件的理想襯底材料。

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近年來,GaN基藍、綠光LED、LD、紫外探測器以及大功率高頻HEMT器件都有了很大發(fā)展。在AlGaNHEMT器件方面,AlN與GaN材料相比有著更高的熱導率,而且更容易實現(xiàn)半絕緣;與SiC相比,則晶格失配更小,可以大大降低器件結(jié)構(gòu)中的缺陷密度,有效提高器件性能。AlN是生長Ⅲ族氮化物外延層及器件結(jié)構(gòu)的理想襯底,其優(yōu)點包括:與GaN有很小的晶格失配和熱膨脹系數(shù)失配;化學性質(zhì)相容;晶體結(jié)構(gòu)相同,不出現(xiàn)層錯層;同樣有極化表面;由于有很高的穩(wěn)定性并且沒有其它元素存在,很少會有因襯底造成的沾污。AlN材料能夠改善器件性能,提高器件檔次,是電子器件發(fā)展的源動力和基石。

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目前國外在AlN單晶材料發(fā)展方面,以美國、日本的發(fā)展水平為最高。美國的TDI公司是目前完全掌握HVPE法制備AlN基片技術(shù),并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的唯一單位。TDI的AlN基片是在〈0001〉的SiC或藍寶石襯底上淀積10~30μm的電絕緣AlN層。主要用作低缺陷電絕緣襯底,用于制作高功率的AlGaN基HEMT。目前已經(jīng)有2、3、4、6英寸產(chǎn)品。日本的AlN技術(shù)研究單位主要有東京農(nóng)工大學、三重大學、NGK公司、名城大學等,已經(jīng)取得了一定成果,但還沒有成熟的產(chǎn)品出現(xiàn)。另外俄羅斯的約菲所、瑞典的林雪平大學在HVPE法生長AlN方面也有一定的研究水平,俄羅斯NitrideCrystal公司也已經(jīng)研制出直徑達到15mm的PVTAlN單晶樣品。在國內(nèi),AlN方面的研究較國外明顯滯后,一些科研單位在AlNMOCVD外延生長方面,也有了初步的探索,但都沒有明顯的突破及成果。


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