1.濺射技術
濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來,沉積在基板(如硅晶片、太陽能電池板或光學器件)的過程。濺射過程開始前,將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體(通常是氬氣)的真空室中,在靶源上施加負電荷,然后靶源沉積到基板,引起等離子體發(fā)光。
濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對質量、靶原子的表面結合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應用于濺射鍍膜機,包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環(huán)境下反應濺射、氣流和磁電管濺射。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。
2.濺射靶材的主要應用
濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應用于玻璃鍍膜領域;還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。
3.濺射靶材分類
根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據(jù)形狀可分為方靶,圓靶,異型靶
根據(jù)應用領域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
根據(jù)應用不同又分為半導體關聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
高純高密度濺射靶材包括:金屬靶材(鎳靶,鈦靶等),陶瓷靶材(ITO靶等)和合金靶材(鎳鉻合金靶,鎳銅合金靶等)。濺射靶材的純度可以分為3N-5N.
新時代,新技術層出不窮,我們關注,學習,希望在未來能夠與時俱進,開拓創(chuàng)新。
標簽:   濺射靶材 合金靶材 ITO 金屬靶 貴金屬靶